IRF6712STR1PBF

Name: Infineon Technologies IRF6712STR1PBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 5 (17 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
DirectFET™ Isometric SQ
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Date Sheet

Lagernummer 459

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：DirectFET™ Isometric SQ
Количество контактов：5
Поставщик упаковки устройства：DIRECTFET™ SQ
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：17A Ta 68A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.2W Ta 36W Tc
Время отключения：14 ns
Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2009
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Завершение：SMD/SMT
Сопротивление：4.9MOhm
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-40°C
Распад мощности：2.2W
Время задержки включения：11 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.9mOhm @ 17A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 50μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1570pF @ 13V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：18nC @ 4.5V
Время подъема：40ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：25V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：12 ns
Непрерывный ток стока (ID)：17A
Пороговое напряжение：1.9V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：25V
Двухпитание напряжения：25V
Входной ёмкости：1.57nF
Время восстановления：26 ns
Сопротивление стока к истоку：8.7mOhm
Rds на макс.：4.9 mΩ
Номинальное Vgs：1.9 V
Высота：506μm
Длина：4.826mm
Ширина：3.95mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 459

Итого $0.00000