(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFS23N20DPBF
Изображение служит лишь для справки
IRFS23N20DPBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 280
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：24A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：3.8W Ta 170W Tc
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：HEXFET®
- Опубликовано：2000
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：100m Ω @ 14A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1960pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：86nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：200V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Максимальный сливовой ток (ID)：24A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.1Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：96A
- Минимальная напряжённость разрушения：200V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：250 mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 280
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
