(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFB16N50KPBF
Изображение служит лишь для справки
IRFB16N50KPBF
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
Date Sheet
Lagernummer 6500
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220AB
- Вес：6.000006g
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：17A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：280W Tc
- Время отключения：38 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2004
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Ток постоянного напряжения - номинальный：500V
- Моментальный ток：17A
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：280W
- Время задержки включения：20 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：350mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2210pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：89nC @ 10V
- Время подъема：77ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：500V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Время падения (тип)：30 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：17A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
- Напряжение пробоя стока к истоку：500V
- Входной ёмкости：2.21nF
- Сопротивление стока к истоку：350mOhm
- Rds на макс.：350 mΩ
- Высота：9.01mm
- Длина：10.41mm
- Ширина：4.7mm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 6500
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
