(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF630NLPBF
Изображение служит лишь для справки
IRF630NLPBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
Date Sheet
Lagernummer 503
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-262
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9.3A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：82W Tc
- Время отключения：27 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：HEXFET®
- Опубликовано：2004
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Сопротивление：300mOhm
- Максимальная рабочая температура：175°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Ток постоянного напряжения - номинальный：200V
- Моментальный ток：9A
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：82W
- Время задержки включения：7.9 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：300mOhm @ 5.4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：575pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：35nC @ 10V
- Время подъема：14ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：200V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：15 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：9.5A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：200V
- Входной ёмкости：575pF
- Сопротивление стока к истоку：300mOhm
- Rds на макс.：300 mΩ
- Высота：9.65mm
- Длина：10.668mm
- Ширина：4.826mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 503
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
