IRF530NSPBF

Name: Infineon Technologies IRF530NSPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.8 (15 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 13

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：17A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：3.8W Ta 70W Tc
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：HEXFET®
Опубликовано：1997
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：90m Ω @ 9A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：920pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：37nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
Угол настройки (макс.)：±20V
Максимальный сливовой ток (ID)：17A
Сопротивление открытого канала-макс：0.09Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：60A
Минимальная напряжённость разрушения：100V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：93 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 13

Итого $0.00000