(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMG8N65SCT
Изображение служит лишь для справки
DMG8N65SCT
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
Date Sheet
Lagernummer 256
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：6 Weeks
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：125W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.3 Ω @ 4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1217pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：30nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 256
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
