(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF840PBF
Изображение служит лишь для справки
IRF840PBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- PLANAR >= 100V
Date Sheet
Lagernummer 7
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220AB
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：125W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Серия：HEXFET®
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：500V
- Моментальный ток：8A
- Распад мощности：125W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：850mOhm @ 4.8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1300pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：63nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：500V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：8A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：500V
- Сопротивление стока к истоку：850mOhm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 7
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
