(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NVMFS5113PLWFT1G
Изображение служит лишь для справки
NVMFS5113PLWFT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN, 5 Leads
- NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
Date Sheet
Lagernummer 33000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Срок поставки от производителя：17 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN, 5 Leads
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A Ta 64A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：3.8W Ta 150W Tc
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Опубликовано：2014
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：5
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Код JESD-30：R-PDSO-F5
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：14m Ω @ 17A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4400pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：83nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Сопротивление открытого канала-макс：0.014Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：415A
- Минимальная напряжённость разрушения：60V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：315 mJ
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 33000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
