(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSS87H6327XTSA1
Изображение служит лишь для справки
BSS87H6327XTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-243AA
- Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A 3-Pin SOT-89 T/R
Date Sheet
Lagernummer 523
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-243AA
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：260mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：1W Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：SIPMOS™
- Опубликовано：2011
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSSO-F3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6 Ω @ 260mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.8V @ 108μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：97pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：5.5nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：240V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.29A
- Сопротивление открытого канала-макс：6Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：240V
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：7.3 pF
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 523
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
