DMT6016LFDF-13

Name: Diodes Incorporated DMT6016LFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 5 (10 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
6-UDFN Exposed Pad
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
Date Sheet

Lagernummer 132

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：22 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8.9A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：820mW Ta
Время отключения：12.9 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2014
Код JESD-609：e4
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：16mOhm
Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：NO LEAD
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：S-PDSO-N6
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：3.4 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：16m Ω @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：864pF @ 30V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17nC @ 10V
Время подъема：5.2ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：6.8 ns
Непрерывный ток стока (ID)：8.9A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Минимальная напряжённость разрушения：60V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 132

Итого $0.00000