FQD9N25TM-F080

Name: ON Semiconductor FQD9N25TM-F080
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (18 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 250V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Date Sheet

Lagernummer 392

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Вес：260.37mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：7.4A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.5W Ta 55W Tc
Время отключения：25 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：QFET®
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Форма вывода：GULL WING
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2.5W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：13 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：420m Ω @ 3.7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：700pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 10V
Время подъема：105ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：45 ns
Непрерывный ток стока (ID)：7.4A
Код JEDEC-95：TO-252AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Сопротивление открытого канала-макс：0.42Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：250V
Максимальный импульсный ток вывода：29.6A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：165 mJ
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 392

Итого $0.00000