(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TK35S04K3L(T6L1,NQ
Изображение служит лишь для справки
TK35S04K3L(T6L1,NQ
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3
Date Sheet
Lagernummer 1424
- 1+： $1.54172
- 10+： $1.45445
- 100+： $1.37212
- 500+： $1.29445
- 1000+： $1.22118
Zwischensummenbetrag $1.54172
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：DPAK+
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：35A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：58W Tc
- Время отключения：35 ns
- Рабочая температура：175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSIV
- Опубликовано：2009
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：175°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Распад мощности：58W
- Время задержки включения：19 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10.3mOhm @ 17.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1370pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：28nC @ 10V
- Время подъема：9ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：12 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：35A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Входной ёмкости：1.37nF
- Rds на макс.：10.3 Ω
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 1424
- 1+： $1.54172
- 10+： $1.45445
- 100+： $1.37212
- 500+： $1.29445
- 1000+： $1.22118
Итого $1.54172
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
