(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF7457TRPBF
Изображение служит лишь для справки
IRF7457TRPBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
Date Sheet
Lagernummer 95
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：15A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：2.5W Ta
- Время отключения：16 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：HEXFET®
- Опубликовано：2004
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Сопротивление：7MOhm
- Ток постоянного напряжения - номинальный：20V
- Моментальный ток：15A
- Каналов количество：1
- Напряжение：20V
- Конфигурация элемента：Single
- Текущий：5A
- Распад мощности：2.5W
- Время задержки включения：14 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7m Ω @ 15A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3100pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：42nC @ 4.5V
- Время подъема：16ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：7.5 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：15A
- Пороговое напряжение：3V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：20V
- Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
- Высота：1.75mm
- Длина：4.9784mm
- Ширина：3.9878mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Contains Lead, Lead Free
Со склада 95
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
