ZDS020N60TB

Name: ROHM Semiconductor ZDS020N60TB
Brand: ROHM Semiconductor
Rating: 4.6 (15 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-CH 600V 8SOIC
Date Sheet

Lagernummer 2210

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：630mA Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2W Tc
Время отключения：65 ns
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2012
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
Число контактов：8
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения：25 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5 Ω @ 500mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：310pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 10V
Время подъема：20ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：65 ns
Непрерывный ток стока (ID)：630mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.63A
Сопротивление открытого канала-макс：5Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：2.5A
Минимальная напряжённость разрушения：600V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2210

Итого $0.00000