(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSC020N03LSGATMA2
Изображение служит лишь для справки
BSC020N03LSGATMA2
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- OPTIMOS 3 POWER-MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 344
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：26 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：1
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：5
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Дополнительная Характеристика：ULTRA LOW RESISTANCE, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-F5
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：28A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0029Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：400A
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：180 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 344
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
