TJ15S06M3L(T6L1,NQ

Name: Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
Price: 1.3843215 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (17 reviews)

Toshiba Semiconductor and Storage
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET P-CH 60V 15A DPAK-3
Date Sheet

Lagernummer 3195

1+： $1.38432
10+： $1.30596
100+： $1.23204
500+： $1.16230
1000+： $1.09651

Zwischensummenbetrag $1.38432

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：15A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：41W Tc
Рабочая температура：175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：U-MOSVI
Опубликовано：2009
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Нормативная Марка：AEC-Q101
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：50m Ω @ 7.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1770pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：36nC @ 10V
Время подъема：13ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Угол настройки (макс.)：+10V, -20V
Время падения (тип)：62 ns
Непрерывный ток стока (ID)：15A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：10V
Минимальная напряжённость разрушения：60V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：29 mJ
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant

Со склада 3195

1+： $1.38432
10+： $1.30596
100+： $1.23204
500+： $1.16230
1000+： $1.09651

Итого $1.38432