(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STP11N65M2
Изображение служит лишь для справки
STP11N65M2
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- STMICROELECTRONICS STP11N65M2 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V
Date Sheet
Lagernummer 1000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Количество контактов：3
- Вес：329.988449mg
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：7A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：85W Tc
- Время отключения：26 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：MDmesh™ II Plus
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：STP11N
- Каналов количество：1
- Время задержки включения：9.5 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：670m Ω @ 3.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：410pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12.5nC @ 10V
- Время подъема：7.5ns
- Угол настройки (макс.)：±25V
- Время падения (тип)：15 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：7A
- Пороговое напряжение：3V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
- Напряжение пробоя стока к истоку：650V
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 1000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
