Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI4668DY-T1-E3

Изображение служит лишь для справки






SI4668DY-T1-E3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
Date Sheet
Lagernummer 42
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:16.2A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:2.5W Ta 5W Tc
- Время отключения:73 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:TrenchFET®
- Опубликовано:2016
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:8
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:2.5W
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:10.5m Ω @ 15A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.6V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1654pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:42nC @ 10V
- Время подъема:12ns
- Угол настройки (макс.):±16V
- Время падения (тип):18 ns
- Непрерывный ток стока (ID):16.2A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):16V
- Максимальный сливовой ток (ID):11.5A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0105Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:25V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 42
Итого $0.00000