(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MCH6602-TL-E
Изображение служит лишь для справки
MCH6602-TL-E
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-SMD, Flat Leads
- Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 6-Pin MCPH T/R
Date Sheet
Lagernummer 608
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：LIFETIME (Last Updated: 11 hours ago)
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-SMD, Flat Leads
- Количество контактов：6
- Количество элементов：2
- Время отключения：155 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2007
- Код JESD-609：e6
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Максимальная потеря мощности：800mW
- Число контактов：6
- Конфигурация элемента：Dual
- Распад мощности：800mW
- Время задержки включения：19 ns
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.7 Ω @ 80mA, 4V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.58nC @ 10V
- Время подъема：65ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Время падения (тип)：120 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：350mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：10V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Высота：850μm
- Длина：2mm
- Ширина：1.6mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 608
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
