(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NDS9933A
Изображение служит лишь для справки
NDS9933A
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8-SOIC
Date Sheet
Lagernummer 3000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Время отключения：31 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：-20V
- Максимальная потеря мощности：900mW
- Моментальный ток：-2.8A
- Распад мощности：2W
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：140m Ω @ 2.8A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：405pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：8.5nC @ 4.5V
- Время подъема：20ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Время падения (тип)：21 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：2.8A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
- Напряжение пробоя стока к истоку：-20V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 3000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
