(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IRF7907PBF
Изображение служит лишь для справки
IRF7907PBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIC
Date Sheet
Lagernummer 10004
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9.1A 11A
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：HEXFET®
- Опубликовано：2006
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Основной номер части：IRF7907PBF
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：2W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：16.4m Ω @ 9.1A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.35V @ 25μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：850pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：10nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Максимальный сливовой ток (ID)：11A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0118Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：85A
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：15 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2W
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 10004
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
