(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы ZXMD63P03XTC
Изображение служит лишь для справки
ZXMD63P03XTC
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
- MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：LOW THRESHOLD
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Число контактов：8
- Код JESD-30：S-PDSO-G8
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：1.04W
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：185m Ω @ 1.2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA (Min)
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：270pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Код JEDEC-95：MO-187AA
- Максимальный сливовой ток (ID)：2A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.185Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
