ZXMN3A06DN8TC

Name: Diodes Incorporated ZXMN3A06DN8TC
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.9 (15 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Date Sheet

Lagernummer 99999999

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Вес：73.992255mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：21.6 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Опубликовано：2002
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Ток постоянного напряжения - номинальный：30V
Максимальная потеря мощности：1.25W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：4.8A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：8
Квалификационный Статус：Not Qualified
Каналов количество：2
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.25W
Время задержки включения：3 ns
Мощность - Макс：1.8W
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：35m Ω @ 9A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA (Min)
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：796pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17.5nC @ 10V
Время подъема：6.4ns
Время падения (тип)：6.4 ns
Непрерывный ток стока (ID)：4.9A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.035Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.5mm
Длина：5mm
Ширина：4mm
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 99999999

Итого $0.00000