Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MTM684100LBF

Изображение служит лишь для справки






MTM684100LBF
-
Panasonic Electronic Components
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SMD, Flat Lead
- Panasonic MTM684100LBF Dual P-channel MOSFET Transistor, 4.8 A, 12 V, 8-pin WMini8-F1
Date Sheet
Lagernummer 45000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:10 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SMD, Flat Lead
- Количество контактов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:4.8A
- Количество элементов:2
- Время отключения:235 ns
- Рабочая температура:-40°C~85°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2008
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:8
- Код ECCN:EAR99
- Максимальная потеря мощности:1W
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:MTM68410
- Конфигурация элемента:Dual
- Режим работы:DEPLETION MODE
- Распад мощности:1W
- Время задержки включения:8 ns
- Тип ТРВ:2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:42m Ω @ 1A, 4V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1200pF @ 10V
- Время подъема:11ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):12V
- Время падения (тип):85 ns
- Непрерывный ток стока (ID):-4.8A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):8V
- Сопротивление открытого канала-макс:0.042Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:-12V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Standard
- Номинальное Vgs:-650 mV
- Высота:830μm
- Длина:2.9mm
- Ширина:2.4mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 45000
Итого $0.00000