(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDS6894A
Изображение служит лишь для справки
FDS6894A
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Date Sheet
Lagernummer 403
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Вес：187mg
- Количество элементов：2
- Время отключения：33 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：PowerTrench®
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：20V
- Максимальная потеря мощности：900mW
- Моментальный ток：8A
- Конфигурация элемента：Dual
- Распад мощности：2W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：17m Ω @ 8A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1676pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：24nC @ 4.5V
- Время подъема：14ns
- Время падения (тип)：12 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：8A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
- Напряжение пробоя стока к истоку：20V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 403
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
