(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SH8M11TB1
Изображение служит лишь для справки
SH8M11TB1
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
Date Sheet
Lagernummer 19
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2011
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：2W
- Мощность - Макс：2W
- Тип ТРВ：N and P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：98m Ω @ 3.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：85pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.9nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Непрерывный ток стока (ID)：3.5A
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 19
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
