STS4DPF30L

Name: STMicroelectronics STS4DPF30L
Brand: STMicroelectronics
Rating: 4.9 (15 reviews)

STMicroelectronics
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
Date Sheet

Lagernummer 5000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：125 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Серия：STripFET™
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：80mOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Ток постоянного напряжения - номинальный：-30V
Максимальная потеря мощности：2W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-4A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STS4D
Число контактов：8
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2W
Время задержки включения：25 ns
Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：80m Ω @ 2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1350pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：16nC @ 5V
Время подъема：35ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Время падения (тип)：35 ns
Непрерывный ток стока (ID)：4A
Пороговое напряжение：1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：16V
Максимальный сливовой ток (ID)：4A
Напряжение пробоя стока к истоку：-30V
Максимальный импульсный ток вывода：16A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Standard
Высота：1.25mm
Длина：5mm
Ширина：4mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 5000

Итого $0.00000