Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IRF9358PBF

Изображение служит лишь для справки






IRF9358PBF
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- P-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства:8-SO
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:9.2A
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:HEXFET®
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:2W
- Тип ТРВ:2 P-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:16.3mOhm @ 9.2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.4V @ 25μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1740pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:38nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000