Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI3443DDV-T1-GE3

Изображение служит лишь для справки






SI3443DDV-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
Date Sheet
Lagernummer 32195
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:14 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Количество контактов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:4A Ta 5.3A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):2.5V 4.5V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:1.7W Ta 2.7W Tc
- Время отключения:43 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:TrenchFET®
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Время задержки включения:27 ns
- Тип ТРВ:P-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:47m Ω @ 4.5A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:970pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:30nC @ 8V
- Время подъема:25ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Угол настройки (макс.):±12V
- Время падения (тип):18 ns
- Непрерывный ток стока (ID):-4A
- Код JEDEC-95:MO-193AA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):12V
- Максимальный сливовой ток (ID):4A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.047Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:20V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 32195
Итого $0.00000