Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RZF013P01TL

Изображение служит лишь для справки






RZF013P01TL
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 3-SMD, Flat Lead
- MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Date Sheet
Lagernummer 2293
- 1+: $0.24113
- 10+: $0.22748
- 100+: $0.21460
- 500+: $0.20246
- 1000+: $0.19100
Zwischensummenbetrag $0.24113
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:3-SMD, Flat Lead
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:1.3A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.5V 4.5V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:800mW Ta
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Опубликовано:2009
- Код JESD-609:e2
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Copper (Sn/Cu)
- Положение терминала:DUAL
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):10
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PDSO-F3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ:P-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:260m Ω @ 1.3A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:290pF @ 6V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:2.4nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):12V
- Угол настройки (макс.):±10V
- Непрерывный ток стока (ID):1.3A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.26Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:12V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 2293
- 1+: $0.24113
- 10+: $0.22748
- 100+: $0.21460
- 500+: $0.20246
- 1000+: $0.19100
Итого $0.24113