SI4386DY-T1-E3

Name: Vishay Siliconix SI4386DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.8 (15 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Date Sheet

Lagernummer 2294

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Вес：186.993455mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：1.47W Ta
Время отключения：35 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：7mOhm
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Число контактов：8
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.47W
Время задержки включения：12 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7m Ω @ 16A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：18nC @ 4.5V
Время подъема：9ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：9 ns
Непрерывный ток стока (ID)：16A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Номинальное Vgs：2 V
Высота：1.55mm
Длина：5mm
Ширина：4mm
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2294

Итого $0.00000