BSZ123N08NS3GATMA1

Name: Infineon Technologies BSZ123N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.8 (15 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerVDFN
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP
Date Sheet

Lagernummer 6000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：18 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A Ta 40A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.1W Ta 66W Tc
Время отключения：19 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：OptiMOS™
Опубликовано：2011
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：NO LEAD
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Число контактов：8
Код JESD-30：S-PDSO-N5
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：66W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：12 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：12.3m Ω @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 33μA
Без галогенов：Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1700pF @ 40V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：25nC @ 10V
Время подъема：18ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：4 ns
Непрерывный ток стока (ID)：10A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальное напряжение питания с двумя источниками：80V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 6000

Итого $0.00000