FQB33N10LTM

Name: ON Semiconductor FQB33N10LTM
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.8 (16 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Date Sheet

Lagernummer 4800

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)
Срок поставки от производителя：10 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：3
Вес：1.31247g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：33A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：3.75W Ta 127W Tc
Время отключения：70 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：QFET®
Опубликовано：2000
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：52MOhm
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：100V
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：33A
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：3.75W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：17 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：52m Ω @ 16.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1630pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：40nC @ 5V
Время подъема：470ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：120 ns
Непрерывный ток стока (ID)：33A
Пороговое напряжение：2V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：100V
Высота：4.83mm
Длина：10.67mm
Ширина：9.65mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 4800

Итого $0.00000