STD65N55F3

Name: STMicroelectronics STD65N55F3
Brand: STMicroelectronics
Rating: 4.6 (12 reviews)

STMicroelectronics
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET STripFET
Date Sheet

Lagernummer 20229

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：80A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：110W Tc
Время отключения：35 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：STripFET™
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STD65N
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：110W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：20 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8.5m Ω @ 32A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2200pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：45nC @ 10V
Время подъема：50ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：11.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)：32A
Пороговое напряжение：4V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：80A
Сопротивление открытого канала-макс：0.0085Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：55V
Высота：2.4mm
Длина：6.6mm
Ширина：6.2mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 20229

Итого $0.00000