BSZ042N06NSATMA1

Name: Infineon Technologies BSZ042N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (9 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerTDFN
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP
Date Sheet

Lagernummer 5043

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：18 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：17A Ta 40A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.1W Ta 69W Tc
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Серия：OptiMOS™
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：NO LEAD
Код соответствия REACH：not_compliant
Число контактов：8
Код JESD-30：S-PDSO-N3
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2.5W
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.2m Ω @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.8V @ 36μA
Без галогенов：Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2000pF @ 30V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：27nC @ 10V
Время подъема：7ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Непрерывный ток стока (ID)：40A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальное напряжение питания с двумя источниками：60V
Сопротивление открытого канала-макс：0.0042Ohm
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：44 pF
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 5043

Итого $0.00000