BSC900N20NS3GATMA1

Name: Infineon Technologies BSC900N20NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (8 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerTDFN
Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TDSON EP
Date Sheet

Lagernummer 18000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：26 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：15.2A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：62.5W Tc
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：OptiMOS™
Опубликовано：2011
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Число контактов：8
Код JESD-30：R-PDSO-F5
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：62.5W
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：90m Ω @ 7.6A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 30μA
Без галогенов：Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：920pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：11.6nC @ 10V
Время подъема：4ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Непрерывный ток стока (ID)：15.2A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальное напряжение питания с двумя источниками：200V
Сопротивление открытого канала-макс：0.09Ohm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 18000

Итого $0.00000