FDD18N20LZ

Name: ON Semiconductor FDD18N20LZ
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (10 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
N-Channel Power MOSFET, Logic Level, UniFETTM, 200 V, 16 A, 125 mO, DPAK
Date Sheet

Lagernummer 30000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Вес：260.37mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：16A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：89W Tc
Время отключения：135 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：UniFET™
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：125MOhm
Форма вывода：GULL WING
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：89W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：15 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：125m Ω @ 8A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1575pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：40nC @ 10V
Время подъема：20ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：50 ns
Непрерывный ток стока (ID)：16A
Код JEDEC-95：TO-252AA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：200V
Максимальный импульсный ток вывода：64A
Высота：2.39mm
Длина：6.73mm
Ширина：6.22mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 30000

Итого $0.00000