(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQJ402EP-T1_GE3
Изображение служит лишь для справки
SQJ402EP-T1_GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- VISHAY SQJ402EP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 32 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V
Date Sheet
Lagernummer 407
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Количество контактов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：32A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：83W Tc
- Время отключения：27 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Опубликовано：2016
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Код ECCN：EAR99
- Форма вывода：GULL WING
- Код JESD-30：R-PSSO-G4
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Время задержки включения：10 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：11m Ω @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2289pF @ 40V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：51nC @ 10V
- Время подъема：10ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：7 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：32A
- Пороговое напряжение：2V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальный импульсный ток вывода：75A
- Высота：1.07mm
- Длина：4.9mm
- Ширина：4.37mm
- REACH SVHC：Unknown
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 407
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
