BSZ520N15NS3GATMA1

Name: Infineon Technologies BSZ520N15NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 5 (13 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerTDFN
Single N-Channel 150 V 52 mOhm 8.7 nC OptiMOS? Power Mosfet - TSDSON-8
Date Sheet

Lagernummer 8467

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：18 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：21A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：8V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：57W Tc
Время отключения：10 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：OptiMOS™
Опубликовано：2011
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Число контактов：8
Код JESD-30：S-PDSO-N5
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：57W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：7 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：52m Ω @ 18A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 35μA
Без галогенов：Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：890pF @ 75V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12nC @ 10V
Время подъема：5ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：3 ns
Непрерывный ток стока (ID)：21A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальное напряжение питания с двумя источниками：150V
Сопротивление открытого канала-макс：0.052Ohm
Рейтинг энергии лавины (Eas)：60 mJ
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 8467

Итого $0.00000