SI7157DP-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI7157DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 5 (11 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
PowerPAK® SO-8
VISHAY SI7157DP-T1-GE3 MOSFET, P CHANNEL, -20V, -60A, POWERPAK SO-8
Date Sheet

Lagernummer 3031

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8
Количество контактов：8
Вес：506.605978mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：60A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：6.25W Ta 104W Tc
Время отключения：220 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2014
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Код JESD-30：R-PDSO-C5
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：6.25W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：20 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.6m Ω @ 25A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：22000pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：625nC @ 10V
Время подъема：14ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Угол настройки (макс.)：±12V
Время падения (тип)：55 ns
Непрерывный ток стока (ID)：-60A
Пороговое напряжение：-1.4V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Напряжение пробоя стока к истоку：-20V
Максимальный импульсный ток вывода：300A
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 3031

Итого $0.00000