(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STL11N65M5
Изображение служит лишь для справки
STL11N65M5
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET N-CH 650V 9A POWERFLAT
Date Sheet
Lagernummer 4793
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Количество контактов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8.5A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：70W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：MDmesh™
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：5
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：QUAD
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：STL11
- Код JESD-30：S-XQFP-F5
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：530m Ω @ 4.25A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：644pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650V
- Угол настройки (макс.)：±25V
- Непрерывный ток стока (ID)：8.5A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.53Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：34A
- Минимальная напряжённость разрушения：650V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：130 mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 4793
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
