(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SSM6L36TU,LF
Изображение служит лишь для справки
SSM6L36TU,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-SMD, Flat Leads
- SMALL SIGNAL MOSFET N-CH + P-CH
Date Sheet
Lagernummer 9792
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-SMD, Flat Leads
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：500mA Ta 330mA Ta
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：150°C
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Положение терминала：DUAL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-F6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：500mW Ta
- Тип ТРВ：N and P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：630m Ω @ 200mA, 5V, 1.31 Ω @ 100mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：46pF 43pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.23nC, 1.2nC @ 4V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.5A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.85Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate, 1.5V Drive
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 9792
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
