(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FF6MR12W2M1B11BOMA1
Изображение служит лишь для справки
FF6MR12W2M1B11BOMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- MOSFET MODULE 1200V 200A
Date Sheet
Lagernummer 649
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Корпус / Кейс：Module
- Вид крепления：Chassis Mount
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：200A Tj
- Серия：CoolSiC™+
- Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Мощность - Макс：20mW Tc
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.63m Ω @ 200A, 15V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5.55V @ 10mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：14700pF @ 800V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：496nC @ 15V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 649
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
