BSV52

Name: ON Semiconductor BSV52
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (11 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSV52 Series 12 V 200 mA NPN Surface Mount Switching Transistor - SOT-23-3
Date Sheet

Lagernummer 226

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：39 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Вес：30mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：12V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：40
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2000
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：12V
Максимальная потеря мощности：225mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：200mA
Частота：400MHz
Основной номер части：BSV52
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：225mW
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：400MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：12V
Максимальный ток сбора：200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 10mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：400mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода：400MHz
Максимальное напряжение разрушения：12V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：20V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：930μm
Длина：2.92mm
Ширина：1.3mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 226

Итого $0.00000