BCP68T1G

Name: ON Semiconductor BCP68T1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.5 (14 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-261-4, TO-261AA
ON SEMICONDUCTOR - BCP68T1G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 20 V, 60 MHz, 1.5 W, 1 A, 50 hFE
Date Sheet

Lagernummer 800

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：11 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：20V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：50
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：4
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：20V
Максимальная потеря мощности：1.5W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：1A
Частота：60MHz
Основной номер части：BCP68
Число контактов：4
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1.5W
Сокетная связка：COLLECTOR
Продуктивность полосы частот：60MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：20V
Максимальный ток сбора：1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：85 @ 500mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 100mA, 1A
Частота перехода：60MHz
Максимальное напряжение разрушения：20V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：25V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：1.651mm
Длина：6.6802mm
Ширина：3.7084mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 800

Итого $0.00000