
Изображение служит лишь для справки






2N3904BU
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANS NPN 40V 0.2A TO-92
Date Sheet
Lagernummer 30000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Срок поставки от производителя:6 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Количество контактов:3
- Вес:179mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Производитель идентификатор упаковки:MKT-2A03DREV4
- Диэлектрический пробой напряжение:40V
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:100
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:2007
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:60V
- Максимальная потеря мощности:625mW
- Положение терминала:BOTTOM
- Моментальный ток:200mA
- Частота:300MHz
- Основной номер части:2N3904
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:625mW
- Применение транзистора:SWITCHING
- Продуктивность полосы частот:300MHz
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):40V
- Максимальный ток сбора:200mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 10mA 1V
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 5mA, 50mA
- Частота перехода:300MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):6V
- Время выключения максимальное (toff):250ns
- Время включения максимальный (тон):70ns
- Высота:5.33mm
- Длина:5.2mm
- Ширина:4.19mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 30000
Итого $0.00000