PZT2907AT1G

Name: ON Semiconductor PZT2907AT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (10 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-261-4, TO-261AA
TRANS PNP 60V 0.6A SOT223
Date Sheet

Lagernummer 127200

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：4
Вес：4.535924g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：100
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：4
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：-60V
Максимальная потеря мощности：1.5W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-600mA
Частота：200MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：PZT2907A
Число контактов：4
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1.5W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：200MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：60V
Максимальный ток сбора：600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.6V @ 50mA, 500mA
Частота перехода：200MHz
Максимальное напряжение разрушения：60V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：1.651mm
Длина：6.6802mm
Ширина：3.7084mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 127200

Итого $0.00000