
Изображение служит лишь для справки






HN1B04FU-Y,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Trans Gp Bjt Npn/pnp 50V 0.15A 200MW 6-PIN Us T/r
Date Sheet
Lagernummer 15522
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Максимальный коллекторный ток (Ic):150mA
- Рабочая температура:125°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:200mW
- Тип транзистора:NPN, PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:120 @ 2mA 6V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
- Частота - Переход:150MHz
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 15522
Итого $0.00000