(0)
Изображение служит лишь для справки
HN4B01JE(TE85L,F)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- SOT-553
- Bipolar Transistors - BJT Vceo=-50V Vceo=50V
Date Sheet
Lagernummer 4096
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：11 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-553
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Опубликовано：2009
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：100mW
- Направленность：NPN, PNP
- Конфигурация элемента：Dual
- Мощность - Макс：100mW
- Продуктивность полосы частот：80MHz
- Тип транзистора：NPN, PNP (Emitter Coupled)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：250mV
- Максимальный ток сбора：150mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 10MA 100MA
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 10mA, 100mA
- Частота перехода：80MHz
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 4096
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
