MMDT2227M-7

Name: Diodes Incorporated MMDT2227M-7
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.7 (13 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
SOT-23-6
TRANS NPN/PNP 40V/60V 0.6A SOT26
Date Sheet

Lagernummer 1742

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：15 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-23-6
Количество контактов：6
Вес：29.993795mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：35
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности：300mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：600mA
Частота：300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MMDT2227M
Число контактов：6
Направленность：NPN, PNP
Конфигурация элемента：Dual
Распад мощности：300mW
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：300MHz
Тип транзистора：NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1V
Максимальный ток сбора：600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：40V 60V
Частота перехода：300MHz
Максимальное напряжение разрушения：60V
Частота - Переход：300MHz 200MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
Высота：1.1mm
Длина：3mm
Ширина：1.6mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1742

Итого $0.00000